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2sk2727 Datasheet

  • 2sk2727

  • Silicon NPN Triple Diffused

  • 44.72KB

  • hitachi

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2SK2727
Electrical Characteristics
(Ta = 25掳C)
Item
Drain to source breakdown
voltage
Gate to source breakdown
voltage
Gate to source leak current
Zero gate voltege drain
current
Symbol
V
(BR)DSS
V
(BR)GSS
I
GSS
I
DSS
Min
500
卤30
鈥?/div>
鈥?/div>
2.5
鈥?/div>
4.2
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Typ
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
0.75
7.0
1100
330
65
21
5
8
20
70
55
50
1.0
300
Max
鈥?/div>
鈥?/div>
卤10
10
3.5
0.95
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Unit
V
V
碌A
碌A
V
鈩?/div>
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
D
= 10A, V
GS
= 0
I
F
= 10A, V
GS
= 0
diF/ dt = 100A/碌s
Test Conditions
I
D
= 10mA, V
GS
= 0
I
G
=
卤100碌A,
V
DS
= 0
V
GS
=
卤25V,
V
DS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
I
D
= 1mA, V
DS
= 10V*
1
I
D
= 5A, V
GS
= 10V*
1
I
D
= 5A, V
DS
= 10V*
1
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
f = 1MHz
V
DD
= 400V
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
V
GS
= 10V, I
D
= 5A
R
L
= 6鈩?/div>
Gate to source cutoff voltage V
GS(off)
Static drain to source on state R
DS(on)
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
|y
fs
|
Ciss
Coss
Reverse transfer capacitance Crss
Total gate charge
Gate to source charge
Gate to drain charge
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Body to drain diode forward
voltage
Body to drain diode reverse
recovery time
Note:
1. Pulse test
Qg
Qgs
Qgd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
t
rr
See characteristics curves of 2SK2726
3

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    版本
    描述
    厂商
    下载
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    英文版
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    2SK208
  • 2SK209
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