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2sk2727 Datasheet

  • 2sk2727

  • Silicon NPN Triple Diffused

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  • hitachi

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2SK2727
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
200
Pch (W)
I
D
(A)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0
50
100
150
Tc (掳C)
200
1
Case Temperature
Ta = 25
掳C
30
3
10
100 300 1000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
DC
Maximum Safe Operation Area
10
PW
Op
er
10
0
碌
s
碌
s
150
1
=
10
ms
m
s
Channel Dissipation
Drain Current
100
at
ion
(1
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
(T
c=
sh
)
ot)
25
掳
C
50
Dynamic Input Characteristics
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
Repetive Avalanche Energy E
AR
(mJ)
V
DS
(V)
500
V
DS
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
V
GS
200
I
D
= 10 A
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
8
16
24
32
Gate Charge Qg (nc)
8
20
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
10
I
AP
= 10 A
V
DD
= 50 V
duty < 1 %
Rg > 50
鈩?/div>
400
16
8
Drain to Source Voltage
300
12
6
4
100
4
0
40
2
0
25
0
50
75
100
125
150
Channel Temperature Tch (掳C)
4

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