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IS61LV6416 Datasheet

  • IS61LV6416

  • IC,SRAM,64KX16,CMOS,BGA,48PIN,PLASTIC

  • 114.37KB

  • issi

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IS61LV6416
IS61LV6416L
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
V
DD
for Data Retention
Data Retention Current
Data Retention Setup Time
Recovery Time
Test Condition
See Data Retention Waveform
V
DD
= 2.0V,
CE
鈮?/div>
V
DD
鈥?0.2V
See Data Retention Waveform
See Data Retention Waveform
O
ISSI
Options
IS61LV6416
IS61LV6416L
Min.
2.0
鈥?/div>
鈥?/div>
0
Typ.
(1)
鈥?/div>
0.5
0.05
鈥?/div>
鈥?/div>
Max.
3.6
10
1.5
鈥?/div>
鈥?/div>
Unit
V
mA
ns
ns
庐
V
DR
I
DR
1
2
3
4
t
SDR
t
RDR
t
RC
Note 1:
Typical values are measured at V
DD
= 3.0V, T
A
= 25 C and not 100% tested.
DATA RETENTION WAVEFORM
(CE Controlled)
5
t
SDR
V
DD
Data Retention Mode
t
RDR
6
7
CE
鈮?/div>
V
DD
- 0.2V
V
DR
CE
GND
8
9
10
11
12
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. C
10/14/03
11

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