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FCH47N60-F133

更新时间:2025-05-29 07:14:27

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封装/批号
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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市四雄微电子有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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深圳市南烽电子有限公司
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原装现货，价格优势，提供配单服务

深圳市博伟奇电子有限公司
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深圳市硅宇电子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市米数科技有限公司
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深圳市科圳威电子有限公司
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市智慧华芯电子有限公司
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深圳市芯国创科技有限公司
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原装现货,提供优质配单服务

深圳市华普冠科电子科技有限公
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市思跃电子有限公司
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深圳市佳芯恒业科技有限公司
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FCH47N60-F133 概述

FCH47N60-F133是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率开关电源应用，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）为600V，适用于需要高压处理能力的场合如不间断电源（UPS）、电机驱动器以及高频DC-DC转换器中。在实际应用时，推荐使用适当的栅极驱动电路以确保可靠开启和关闭MOSFET，避免因栅极振荡导致器件损坏。由于其高电压等级，在PCB布局上需特别注意爬电距离与电气间隙，防止高压击穿。此外，对于热管理也应给予足够重视，合理设计散热系统可以有效提高系统稳定性和延长器件寿命。

FCH47N60-F133 规格参数

现有数量
0现货
系列
SuperFET? II
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 23.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
270 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8000 F @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
417W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3

芯知识

3.3万

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苏州固锝电子股份有限公司

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