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FDB42AN15A0

更新时间:2025-05-16 11:50:32

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FDB42AN15A0外观图

FDB42AN15A0

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

FDB42AN15A0 概述

FDB42AN15A0是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅源电压为10V时，最大导通电阻仅为19mΩ，适用于高效功率转换应用。典型应用场景包括直流-直流转换器、电源管理模块以及电池供电设备中的负载开关。在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备中广泛应用。由于其优秀的热性能和电气特性，也适合用于同步整流电路中以提高整体效率。使用建议：在PCB布局时应尽量减小源极和漏极之间的走线电感，以降低开关损耗；栅极驱动电路设计需确保足够驱动能力，避免因驱动不足导致的性能下降。对于需要更高可靠性的场合，可考虑增加适当的散热措施。

FDB42AN15A0 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
35A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
42 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2150pF @ 25V
功率 - 最大
150W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB
包装
带卷 (TR)

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