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FDD6680AS

更新时间:2025-07-03 15:55:13

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FDD6680AS外观图

FDD6680AS

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FDD6680AS 概述

FDD6680AS是由Fairchild Semiconductor生产的一款P沟道MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性。这款MOSFET适用于需要高效功率管理的应用场景，如电源管理电路、负载开关和DC-DC转换器等。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统能效。在实际应用中，需注意栅极驱动电压的选择，确保可靠开启和关闭MOSFET。设计时要关注PCB布局，以优化散热性能并降低寄生电感对开关性能的影响。此元件广泛应用于消费电子设备和工业控制系统中的电源管理部分。

FDD6680AS 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
55A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10.5 毫欧 @ 12.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1200pF @ 15V
功率 - 最大
1.3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDD6680AS-NDFDD6680ASFSTR

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