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FDG6306P

更新时间:2025-06-03 16:41:15
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FDG6306P外观图

FDG6306P

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSF P CH DUAL 20V 600MA SC70-6

  • 封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
FDG6306P 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    600mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    420 毫欧 @ 600mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    114pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    300mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    SC-70-6
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDG6306P-ND
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