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fdma1024nz中文资料

  • 标准包装:

    3,000

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 阵列

  • 系列:

    PowerTrench®

  • FET 型:

    2 个 N 沟道(双)

  • FET 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    20V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    5A

  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    54 毫欧 @ 5A,4.5V

  • Id 时的 Vgs(th)(最大):

    1V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    7.3nC @ 4.5V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    500pF @ 10V

  • 功率 - 最大:

    700mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    6-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商设备封装:

    6-MicroFET(2x2)

  • 包装:

    带卷 (TR)

  • 其它名称:

    FDMA1024NZTR

  • Fairchild推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ双N沟道和单N沟道MOSFET器件

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor)推出fdma1024nz和fdma410nz 双n沟道和单n沟道mosfet器件,可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。 这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0.8mm microfet mlp封装,适用于空间受限的应用,提供出色的功耗和超低rds(on) ,能大大延长电池的寿命,这些高效microfet mosfet有助于应对现今功能丰富的便携式应用所对的功耗挑战。 fdma410nz为便携产品设计人员提供了业界最低的rds(on),4.5v时为23 m,采用纤细 2mm x 2mm封装,两款产品均可确保在vgs低至1.5v时达到rds(on)额定值,适用于锂离子或原电池应用。 飞兆半导体性能先进的powertrench mosfet工艺技术可实现非常低的rds(on)、总栅极电荷(qg) 和米勒电荷(qgd),从而获得出色的开关性能和热效率。相比传统的mosfet封装,其先进的microfet封装提供了卓越的功耗和传导损耗特性。 飞兆半导体提供业界最广泛的高热效、超紧凑、薄型2mm x 2

fdma1024nz替代型号

FDMA1023PZ FDH44N50 FDH333 FDG901D FDG6303N FDFMJ2P023Z FDFME3N311ZT FDFMA2P859T FDFMA2P857 FDFMA2P853T

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