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Fairchild推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ双N沟道和单N沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor)推出fdma1024nz和fdma410nz 双n沟道和单n沟道mosfet器件，可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0.8mm microfet mlp封装，适用于空间受限的应用，提供出色的功耗和超低rds(on) ，能大大延长电池的寿命，这些高效microfet mosfet有助于应对现今功能丰富的便携式应用所对的功耗挑战。 fdma410nz为便携产品设计人员提供了业界最低的rds(on)，4.5v时为23 m，采用纤细 2mm x 2mm封装，两款产品均可确保在vgs低至1.5v时达到rds(on)额定值，适用于锂离子或原电池应用。飞兆半导体性能先进的powertrench mosfet工艺技术可实现非常低的rds(on)、总栅极电荷(qg) 和米勒电荷(qgd)，从而获得出色的开关性能和热效率。相比传统的mosfet封装，其先进的microfet封装提供了卓越的功耗和传导损耗特性。飞兆半导体提供业界最广泛的高热效、超紧凑、薄型2mm x 2

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fdma1024nz中文资料

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

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fdma1024nz替代型号

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开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

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