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fdma1023pz供应商优质现货

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fdma1023pz价格行情

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fdma1023pz中文资料

  • Fairchild推出MLP封装小外形低功耗应用MicroFET产品

    et器件兼具紧凑封装和高性能特性,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反

  • Fairchild推出MLP封装小外形低功耗应用MicroFET产品

    和高性能特性,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以

  • 飞兆半导体推出7款MLP封装MicroFET产品

    兼具紧凑封装和高性能特性,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前

  • 飞兆半导体的MLP封装MicroFET产品在小外形尺寸中提供出色的功耗特性

    凑封装和高性能特性,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提

  • 飞兆推7款全新MicroFET 面向30V和20V应用

    具紧凑封装和高性能特性,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf

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fdma1023pz替代型号

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FDMA1024NZ FDMA1025P FDMA1027 FDMA1027PT FDMA410NZ FDMA520PZ FDMA530PZ FDMA6023PZT FDMC2610 FDMC7570S

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