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FF200R12KT3

更新时间:2025-06-19 08:32:44
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • FF200R12KT3

  • 优势

  • 1004

  • Infineon/英飞凌

  • MODULE/25+

  • 全新原装原盒原标实拍 支持选型 保证质量 新批次

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FF200R12KT3 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品
    IGBT Silicon Modules
  • 配置
    Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    1200 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    295 A
  • 最大工作温度
    + 125 C
  • 封装 / 箱体
    62MM
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 20 V
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 安装风格
    Screw
  • 工厂包装数量
    10
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广东微尔科技有限公司
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