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FQD18N20V2TF

更新时间:2025-06-19 20:44:44

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市世纪成达电子科技有限公
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FQD18N20V2TF

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD18N20V2TF 规格参数

标准包装
2,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫欧 @ 7.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1080pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)

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