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FQD19N10LTM

更新时间:2025-05-01 10:59:36
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FQD19N10LTM的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FQD19N10LTM外观图

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 7.8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：870pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：TO-252-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FQD19N10LTM-NDFQD19N10LTMTR
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