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FQD18N20V2TM

更新时间:2025-07-09 10:48:27

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市颢天电子有限公司
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深圳市纳艾斯科技有限公司
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上海熠富电子科技有限公司
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深圳市硅宇电子有限公司
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深圳市莱克讯科技有限公司
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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只做原装，可提供技术支持及配单服务

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深圳市君云达电子科技有限公司
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深圳市爱冠伟业电子有限公司
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深圳市特莱科技有限公司
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深圳市尚想信息技术有限公司
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深圳市尚想信息技术有限公司
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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD18N20V2TM 概述

FQD18N20V2TM是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源管理应用。其主要应用场景包括直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、电动工具及各种消费类电子产品的电源电路中。在这些应用中，它能够有效降低能量损耗并提高系统整体效率。使用时需注意栅极驱动电压的选择以确保MOSFET完全开启，并且要考虑散热设计以保证稳定工作。例如，在一个典型的降压转换器电路中，可以将此MOSFET作为高端或低端开关元件，根据具体需求调整外围元件参数如电感值、电容值等，以优化性能。

FQD18N20V2TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫欧 @ 7.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1080pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
FQD18N20V2TM-NDFQD18N20V2TMTR

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