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FQD24N08TM

更新时间:2025-05-21 19:50:33

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FQD24N08TM外观图

FQD24N08TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD24N08TM 概述

FQD24N08TM是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为80V，在栅极驱动电压为10V时，典型导通电阻仅为0.06Ω。适用于需要高效功率转换与控制的应用场景，如直流电机驱动、电源管理以及各种工业自动化设备中的开关电路。在应用中建议注意栅极驱动电路的设计，确保提供足够的驱动电压以达到最佳的导通性能。同时，在高频率应用场合要特别关注寄生电感和电容的影响，以避免不必要的开关损耗和电磁干扰问题。对于电源转换电路设计，推荐使用合适的散热措施来保证器件的稳定运行。

FQD24N08TM 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
19.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫欧 @ 9.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)

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