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FQD7P06TM

更新时间:2025-05-31 01:12:28

供应商
产品型号
服务标识
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封装/批号
说明
询价

深圳市东鸿鼎业科技有限公司
FQD7P06TM
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现货库存齐全，提供BOM一站式配单服务
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深圳市南科功率半导体有限公司
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NK/南科功率
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国产南科兼容替代

深圳市中元伟业电子商行
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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18000
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深圳市华斯顿科技有限公司
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原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市亚泰电子有限公司
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公司现货只做原装

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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深圳市莱克讯科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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只做原装，专注提供BOM配单服务

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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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一级代理商可提供技术方案支持

上海驰循电子科技有限公司
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价

深圳市得捷芯城科技有限公司
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优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票

深圳市优尚半导体科技有限公司
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Freescale(飞思卡尔)
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原装现货

深圳市中元伟业电子商行
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惠州市利湾智能科技有限责任公
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只做原装

深圳市星宇佳科技有限公司
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香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市金华微盛电子有限公司
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FQD7P06TM外观图

FQD7P06TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD7P06TM 概述

FQD7P06TM是Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。其最大漏源电压为60V，在25°C时的连续漏极电流可达7A。典型应用场景包括直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及各种功率控制电路中。由于其紧凑的封装设计，特别适合空间受限的设计需求。在使用时需注意散热设计以确保长期稳定工作，推荐在PCB布局时优化热路径并合理选择栅极驱动电阻值以减小开关损耗。

FQD7P06TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
451 毫欧 @ 2.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
295pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
FQD7P06TM-NDFQD7P06TMTR

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