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HGT1S20N36G3VLS

更新时间:2025-05-09 19:27:03
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HGT1S20N36G3VLS的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：IGBT 晶体管
  • 配置：Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：395 V
  • 集电极—射极饱和电压：1.3 V
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 10 V
  • 在25 C的连续集电极电流：29 A
  • 栅极—射极漏泄电流：1000 uA
  • 功率耗散：50 W
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：TO-263AB-3
  • 封装：Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic：37.7 A
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 工厂包装数量：50
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