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HGTP20N35G3VL

更新时间:2025-06-07 05:46:46
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HGTP20N35G3VL 规格参数
  • 制造商
    Fairchild Semiconductor
  • 产品种类
    IGBT 晶体管
  • 配置
    Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    375 V
  • 集电极—射极饱和电压
    1.6 V
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 10 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    20 A
  • 栅极—射极漏泄电流
    590 uA
  • 功率耗散
    150 W
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    TO-220AB-3
  • 封装
    Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic
    20 A
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 工厂包装数量
    400
  • 零件号别名
    HGTP20N35G3VL_NL
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