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IRF140

更新时间:2025-06-18 20:11:30

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IRF140 概述

IRF140是国际整流器公司（International Rectifier，现为英飞凌旗下品牌）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）为60V，典型导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动下为0.2欧姆。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电池管理电路、电机驱动以及功率控制模块中。在实际应用中，需注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启，通常建议使用10V以上的栅极电压来达到最佳性能。设计时应注意散热措施，尤其是大电流应用场合，推荐采用适当的散热器或PCB铜箔面积进行热管理，避免因过热导致性能下降或损坏。对于高频开关应用，应优化栅极电阻值以减少振铃现象并提高效率。

IRF140 规格参数

典型关断延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
21 ns
典型栅极电荷@Vgs
30 → 59 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds
1660 pF V @ 25
安装类型
通孔
宽度
26.67mm
封装类型
TO-3
尺寸
39.95 x 26.67 x 7.87mm
引脚数目
2
最低工作温度
-55 °C
最大功率耗散
125 W
最大栅源电压
±20 V
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
0.089
最大连续漏极电流
28 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道类型
N
配置
单
长度
39.95mm
高度
7.87mm

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