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IRF640

更新时间:2025-07-04 02:20:59
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  • 18000

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  • DIP/2603+

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  • IRF640NPBF

  • 优势

  • 27324

  • Infineon(英飞凌)

  • TO220AB/26+25+

  • 原装现货，一站式BOM表配单，终端可以免费供样

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IRF640外观图

IRF640

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

  • 封装:TO-220-3
IRF640 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    MESH OVERLAY™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    180 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    125W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    TO-220AB
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    497-2759-5
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