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IRF640NPBF

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IRF640NPBF外观图

  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1160pF @ 25V
  • 功率 - 最大:150W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRF640NPBF
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