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IRF640FP

更新时间:2025-05-17 15:51:04
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IRF640FP外观图

IRF640FP

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP

  • 封装:TO-220-3 整包
IRF640FP 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    MESH OVERLAY™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    180 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    40W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
    TO-220FP
  • 包装
    管件
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