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IRF640NSTRR

更新时间:2025-05-09 10:14:57
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IRF640NSTRR的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRF640NSTRR外观图

  • 标准包装：800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单路
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)：1160pF @ 25V
  • 功率 - 最大：150W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
  • 供应商设备封装：D2PAK
  • 包装：带卷 (TR)
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