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IRF9Z34

更新时间:2025-06-18 22:21:11

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IRF9Z34 概述

IRF9Z34是由国际整流器公司（现为英飞凌的一部分）生产的P沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于需要高电压和中等电流的应用场景。其最大漏源电压（Vds）为55V，连续漏极电流（Id）在25°C时可达16A。这种MOSFET常用于电源管理、负载开关及DC-DC转换器等应用。在实际使用中，建议确保栅极驱动电压足够以实现低导通电阻，通常推荐使用10V的栅极电压。此外，在设计电路时需注意散热问题，特别是在高负载条件下。为了提高系统的稳定性，可以在源极与栅极之间并联一个小电容来减少噪声干扰。对于电源管理应用，此MOSFET可直接替代其他相同封装类型的P沟道MOSFET，但需确认电气参数匹配。

IRF9Z34 规格参数

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1100pF @ 25V
功率 - 最大
68W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
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