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IRF9Z34NSTRL

更新时间:2025-06-17 19:43:34
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IRF9Z34NSTRL外观图

IRF9Z34NSTRL

International Rectifier 分离式半导体产品

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

  • 封装:TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
IRF9Z34NSTRL 规格参数
  • 标准包装
    800
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单路
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    100 毫欧 @ 10A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    19A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)
    620pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    3.8W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
  • 供应商设备封装
    D2PAK
  • 包装
    带卷 (TR)
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