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IRFD112R

更新时间:2025-06-18 12:16:30

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IRFD112R 概述

IRFD112R是由Infineon Technologies生产的N沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，适用于多种电源管理应用。其最大漏源电压为60V，适合用于直流-直流转换器、电机驱动以及各类需要高效开关的电路中。在实际应用中，IRFD112R常被用作负载开关或同步整流管。由于其低栅极电荷和快速开关速度，能够有效减少开关损耗并提高系统效率。使用时应注意栅极驱动电压的选择，确保可靠开启MOSFET。建议在栅极串联一个小电阻以抑制振荡，并在源极与栅极之间并联一个齐纳二极管来保护栅氧化层免受过压损害。在PCB布局设计时，尽量缩短源极和栅极端子之间的走线长度，减少寄生电感对性能的影响。

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