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IRFD120 1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 an... HARRIS IRFD120PDF下载
IRFD120 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Pow... FAIRCHILD IRFD120PDF下载
IRFD120 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.27... IRF IRFD120PDF下载
IRFD120 MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP IRFD120PDF下载
IRFD120 HEXFET? Power MOSFET IRFD120PDF下载
IRFD120 HEXFET? Power MOSFETs IRFD120PDF下载
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irfd120价格行情

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历史最低报价：￥0.7000 历史最高报价：￥30.0000 历史平均报价：￥2.9308

型号厂家封装批号数量日期价格
IRFD120 MOTOROLA HD-1 2008/5/21 0:00:00 0.7000/pcs
IRFD120 04+/05+ 2008/3/4 0:00:00 0.7500/pcs
IRFD120 VIS DIP-4 2008/5/21 0:00:00 0.8000/pcs
IRFD120 IR DIP4 00+/99+ 2008/5/21 0:00:00 0.9000/pcs
IRFD120 TO-220 2008/9/25 0:00:00 0.9200/pcs
IRFD120 IR 05+ 58000 2010/4/8 11:15:22 1.0000/pcs
IRFD120 IR DIP4 2008/9/25 0:00:00 1.0000/pcs
IRFD120 IRFD/HARRIS DIP-4 2008/9/25 0:00:00 1.0000/pcs
IRFD120 IR DIP4 00+ 2008/5/21 0:00:00 1.0000/pcs
IRFD120 IR HD-1 06+ 2008/5/21 0:00:00 1.0000/pcs

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数据列表:
IRFD120
标准包装:
2,500
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
-
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
标准型
漏极至源极电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
1.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
270 毫欧 @ 780mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
360pF @ 25V
功率 - 最大:
1.3W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装:
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包装:
管件
其它名称:
*IRFD120IRFD121IRFD122

IRF9024N是P沟道MOS管，请问与其对应的N沟道MOS管是什么型号？
没有严格对应的管子大致上可以用irfd120
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请教一个场效应管的问题由于刚用场效应管不久,现在遇到一个问题,就是网上下载一个关于irfd120的pdf,在最大值一项里说最大漏极电流是1.3a,但是为什么id在输出特性曲线里却是如下这么大呢?

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数据列表:

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

IRF9024N是P沟道MOS管，请问与其对应的N沟道MOS管是什么型号？

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irfd120替代型号

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安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

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