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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0...
IRF
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IRFD9210
Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0...
IRF [International Rectifier]
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MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
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IRFD9210PBF
HEXFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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IRFD9210, SiHFD9210
Power MOSFET
Vishay Intertechnology
IRFD9210, SiHFD9210PDF下载
ms时导通;在vc等于7.4 v时q2导通,即在q1导通后的330 ms时导通。这样长的时间,足以保证电源需要的稳定时间和使q1与q2缓慢地导通。因为要把启动电流保持在一个最小值,所以fet(场效应管)的缓慢导通是至关重要的。若fet转换太快,有可能产生一个大的浪涌电流,失去软启动电路的效用。 3 注意事项 (1)软启动电路的增加是有代价的。从整体来讲,这种电路可看作是电源的一部分,它要消耗功率,使电源的效率降低。大部分功率损失是由于输出传递场效应管q2的导通电阻不为零所造成的。这种irfd9210的导通电阻为0.6 ω。在500 ma输出电流时,q2将消耗300 mw功率。如果不允许这样大的损耗时,可以采用导通电阻更小的fet(但往往价格很高)。 (2)因为开关电源电压的感测是取自场效应管q2的输入端,所以这种穿过q2的电阻也影响负载电压的稳定。只要负载电流是相对恒定的,这个问题并不严重。如果输出电压的变化较大,可以选用导通电阻低的fet来改善,也可以在软启动电路工作完成以后,在q2的输出端加一个电压感测电路来改善。 4 结论 以上详细论述了“软启动电路”是如何消除开关
ms时导通;在vc等于7.4 v时q2导通,即在q1导通后的330 ms时导通。这样长的时间,足以保证电源需要的稳定时间和使q1与q2缓慢地导通。因为要把启动电流保持在一个最小值,所以fet(场效应管)的缓慢导通是至关重要的。若fet转换太快,有可能产生一个大的浪涌电流,失去软启动电路的效用。 3 注意事项 (1)软启动电路的增加是有代价的。从整体来讲,这种电路可看作是电源的一部分,它要消耗功率,使电源的效率降低。大部分功率损失是由于输出传递场效应管q2的导通电阻不为零所造成的。这种irfd9210的导通电阻为0.6 ω。在500 ma输出电流时,q2将消耗300 mw功率。如果不允许这样大的损耗时,可以采用导通电阻更小的fet(但往往价格很高)。 (2)因为开关电源电压的感测是取自场效应管q2的输入端,所以这种穿过q2的电阻也影响负载电压的稳定。只要负载电流是相对恒定的,这个问题并不严重。如果输出电压的变化较大,可以选用导通电阻低的fet来改善,也可以在软启动电路工作完成以后,在q2的输出端加一个电压感测电路来改善。 4 结论 以上详细论述了“软启动电路”是如何消除开关
0.4A/200V