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IRL3502STRR

更新时间:2025-05-16 17:30:53
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IRL3502STRR外观图

IRL3502STRR

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

  • 封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
IRL3502STRR 规格参数
  • 标准包装
    800
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    110A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    7 毫欧 @ 64A，7V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    110nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    4700pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    140W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装
    D2PAK
  • 包装
    带卷 (TR)
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