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IXTH10N100D

更新时间:2025-05-16 07:21:04
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IXTH10N100D外观图

IXTH10N100D

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247

  • 封装:TO-247-3
IXTH10N100D 规格参数
  • 标准包装
    30
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    10A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.4 欧姆 @ 10A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2500pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    400W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商设备封装
    TO-247
  • 包装
    管件
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