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MII150-12A4

更新时间:2025-06-15 16:38:06
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MII150-12A4外观图

MII150-12A4

IXYS IGBT

MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB

  • 封装:Y3-DCB
MII150-12A4 规格参数
  • 标准包装
    2
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    IGBT
  • 系列
    -
  • IGBT 类型
    NPT
  • 配置
    半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    2.7V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    180A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    7.5mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
    6.6nF @ 25V
  • 功率 - 最大
    760W
  • 输入
    标准型
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    Y3-DCB
  • 供应商设备封装
    Y3-DCB
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