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MJD112T4

更新时间:2025-06-12 00:11:30

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MJD112T4

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

MJD112T4 概述

MJD112T4是ON Semiconductor公司生产的一款双极型功率晶体管，采用TO-220封装形式。该晶体管为NPN型，具有较高的电流处理能力，集电极 - 发射极最大电压（VCEO）可达80V，集电极最大电流（IC）可达3A。它适用于多种功率放大和开关应用，在音频放大器、电源管理和电机控制等场景中表现出色。其高电流增益（hFE）使得它在驱动较大负载时也能保持稳定性能。由于其良好的热特性和较高的可靠性，被广泛应用于工业控制、消费电子等领域。使用时需注意散热设计以确保长期稳定工作。

MJD112T4 规格参数

标准包装
10
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大）
20µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
1000 @ 2A，3V
功率 - 最大
1.75W
频率 - 转换
25MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
Digi-Reel®
其它名称
MJD112T4OSDKR

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