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MJD112T4G

更新时间:2025-06-11 22:36:47
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MJD112T4G外观图

MJD112T4G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

  • 封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
MJD112T4G 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    3V @ 40mA，4A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    20µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    1000 @ 2A，3V
  • 功率 - 最大
    1.75W
  • 频率 - 转换
    25MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装
    DPAK-3
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    MJD112T4GOSMJD112T4GOS-NDMJD112T4GOSTR
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