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MJD31T4G

更新时间:2025-06-17 15:49:06

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深圳市辉华电子半导体有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市金泽芯通电子科技有限公
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深圳闻舟科技有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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深圳市金锐力科技有限公司
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深圳市英科美电子有限公司
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深圳市西熠电子有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市诚兴豪科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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MJD31T4G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

MJD31T4G 概述

MJD31T4G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高压大电流达林顿晶体管，采用TO-220封装。该器件集成了两个NPN晶体管，构成达林顿对结构，具有高电流增益特性，最大集电极-发射极电压VCEO可达100V，集电极电流IC最高支持3A。典型应用场景包括驱动继电器、螺线管、灯泡等感性负载以及电机控制等领域。其高增益特性使其非常适合用于需要较大输出电流的开关电路和放大器电路。在实际应用中，建议在基极串联限流电阻以保护输入端，并确保良好的散热设计以维持长期可靠性。由于达林顿结构的特点，需注意其饱和压降相对较大，可能影响效率，在高频率应用时应充分考虑开关速度限制。

MJD31T4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大）
50µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
10 @ 3A，4V
功率 - 最大
1.56W
频率 - 转换
3MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
带卷 (TR)

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