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MJD32C1

更新时间:2025-05-11 21:40:12
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MJD32C1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

MJD32C1外观图

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：3 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：25 at 1 A at 4 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：3 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-252-3 (DPAK)
  • 封装：Tube
  • 集电极连续电流：3 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：1.56 W
  • 工厂包装数量：75
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