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MJD32BT4

更新时间:2025-06-02 05:39:21
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MJD32BT4 规格参数
  • 制造商
    STMicroelectronics
  • 晶体管极性
    NPN/PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    5 V
  • 最大直流电集电极电流
    3 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    25
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TO-252
  • 封装
    Reel
  • 功率耗散
    15000 mW
  • 工厂包装数量
    2500
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