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MMDF2P02ER2G

更新时间:2025-06-11 23:52:59

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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MMDF2P02ER2G

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET PWR P-CH 25V 2.5A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

MMDF2P02ER2G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 P 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
250 毫欧 @ 2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
475pF @ 16V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)

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