当前位置:维库电子市场网>IC>mmdf3n02hdr2g 更新时间:2024-04-28 11:37:38

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  • MMDF3N02HDR2G的技术参数

    产品型号:mmdf3n02hdr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):90最大漏极电流id(on)(a):3.800通道极性:n/n沟道封装/温度(℃):so-8/-55~150描述:3a,20v,so-8,n沟道功率双mosfet价格/1片(套):¥6.20 来源:xiangxueqin

  • MMDF3N02HDR2G的技术参数

    产品型号:MMDF3N02HDR2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90
    最大漏极电流Id(on)(A):3.800
    通道极性:N/N沟道
    封装/温度(℃):SO-8/-55~150
    描述:3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFET
    价格/1片(套):¥6....

mmdf3n02hdr2g替代型号

MMDF2P02HDR2G MMDF2N02ER2G MMDF2C03HDR2G MMBZ9V1ALT1 MMBZ6V8ALT1G MMBZ6V2ALT1 MMBZ5V6ALT3 MMBZ5V6ALT1G MMBZ5V6ALT1 MMBZ5260BLT1G

MMDF3N04HDR2G MMDL301T1G MMDL6050T1G MMDL770T1G MMDL914T1G MMDT5401 MMFT960T1G MMG3012NT1 MMG3013NT1 MMJT350T1G

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