当前位置:维库电子市场网>IC>mmdf2p02hdr2g 更新时间:2024-03-28 22:58:54

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  • MMDF2P02HDR2G的技术参数

    产品型号:mmdf2p02hdr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):160最大漏极电流id(on)(a):3.600通道极性:p/p沟道封装/温度(℃):so-8/-55~150描述:2a,20v,so-8,p沟道功率双mosfet价格/1片(套):¥6.08 来源:xiangxueqin

  • MMDF2P02HDR2G的技术参数

    产品型号:MMDF2P02HDR2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):160
    最大漏极电流Id(on)(A):3.600
    通道极性:P/P沟道
    封装/温度(℃):SO-8/-55~150
    描述:2A,20V,SO-8,P沟道功率双MOSFET
    价格/1片(套):¥6...

mmdf2p02hdr2g替代型号

MMDF2N02ER2G MMDF2C03HDR2G MMBZ9V1ALT1 MMBZ6V8ALT1G MMBZ6V2ALT1 MMBZ5V6ALT3 MMBZ5V6ALT1G MMBZ5V6ALT1 MMBZ5260BLT1G MMBZ5255BLT1G

MMDF3N02HDR2G MMDF3N04HDR2G MMDL301T1G MMDL6050T1G MMDL770T1G MMDL914T1G MMDT5401 MMFT960T1G MMG3012NT1 MMG3013NT1

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