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MTP10N35

更新时间:2025-07-03 11:13:38

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MTP10N35 概述

MTP10N35是来自无锡新洁能股份有限公司的一款N沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的沟槽工艺技术制造，具有低导通电阻特性，在提高效率的同时减少能量损耗。该器件最大漏源电压为350V，适用于多种高压应用场合。典型应用场景包括交流-直流电源转换器、适配器、LED照明驱动以及工业控制设备中的开关电源。在这些应用中，MTP10N35能够实现高效稳定的电力传输和管理。使用时应注意其最大工作电压不要超过额定值，并且要根据实际负载情况合理设计散热系统以确保稳定运行。电路设计上可以参考标准的同步整流或非同步整流拓扑结构，具体配置需依据系统需求进行调整。例如，在一个简单的降压变换器电路中，可将其作为高端或低端开关元件使用。

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