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NAND02GW3B2DN6E

更新时间:2025-06-17 17:02:08

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市赛思尔科技有限公司
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Micron Technology Inc 存储器

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封装:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）

NAND02GW3B2DN6E 概述

NAND02GW3B2DN6E是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款2Gb NAND闪存芯片。这款器件采用先进的浮栅技术，支持1.8V和3.3V两种供电电压，适用于各种嵌入式存储应用。它具有标准的TSOP48封装，提供可靠的非易失性数据存储功能。该芯片广泛应用于消费电子产品、工业控制设备以及通信系统中，如固态硬盘、路由器、交换机等需要大容量数据存储的场合。其内部组织结构为2个1Gb的平面，每个平面包含多个块，每个块由多个页组成，能够实现高效的编程和擦除操作。在实际应用中，建议配合使用合适的纠错码(ECC)机制以确保数据完整性。设计电路时应注意电源去耦和信号完整性，推荐在靠近电源引脚处添加适当的旁路电容。同时，在进行PCB布线时应尽量缩短数据线长度并保持信号线阻抗匹配以减少干扰。

NAND02GW3B2DN6E 规格参数

标准包装
576
类别
集成电路 (IC)
家庭
存储器
系列
-
格式 - 存储器
闪存
存储器类型
闪存 - NAND
存储容量
2G（256M x 8）
速度
-
接口
并联
电源电压
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度
-40°C ~ 85°C
封装/外壳
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商设备封装
48-TSOP（12x20）
包装
托盘

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