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NST3906DP6T5G

更新时间:2025-07-16 23:26:51

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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安富利（深圳）商贸有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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武汉力源信息技术股份有限公司
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ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963

封装:SOT-963

NST3906DP6T5G 规格参数

标准包装
8,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列
系列
-
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 10mA，1V
功率 - 最大
350mW
频率 - 转换
250MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-963
供应商设备封装
SOT-963
包装
带卷 (TR)

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