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NST3906DP6T5G

更新时间:2025-07-16 23:26:51
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NST3906DP6T5G外观图

NST3906DP6T5G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963

  • 封装:SOT-963
NST3906DP6T5G 规格参数
  • 标准包装
    8,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    100 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大
    350mW
  • 频率 - 转换
    250MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-963
  • 供应商设备封装
    SOT-963
  • 包装
    带卷 (TR)
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