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NST3906DXV6T1

更新时间:2025-06-29 10:58:02

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ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563

封装:SOT-563，SOT-666

NST3906DXV6T1 规格参数

标准包装
4,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列
系列
-
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 10mA，1V
功率 - 最大
500mW
频率 - 转换
250MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商设备封装
SOT-563
包装
带卷 (TR)
其它名称
NST3906DXV6T1OS

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