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  • NTB18N06L的技术参数

    产品型号:ntb18n06l源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):85最大漏极电流id(on)(a):15通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55~175描述:15a,60v功率mosfet价格/1片(套):￥4.10 来源:xiangxueqin

  • NTB18N06L的技术参数

    产品型号:NTB18N06L
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85
    最大漏极电流Id(on)(A):15
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):D2PAK/-55~175
    描述:15A,60V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥4.10


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