当前位置:维库电子市场网>IC>ntb5605pt4g 更新时间:2024-04-30 16:19:00

ntb5605pt4g供应商优质现货

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ntb5605pt4g中文资料

  • NTB5605PT4G的技术参数

    产品型号:ntb5605pt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):140最大漏极电流id(on)(a):18.500通道极性:p封装/温度(℃):d2pak-3/-55~175描述:-60v,-18.5ap沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTB5605PT4G的技术参数

    产品型号:NTB5605PT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140
    最大漏极电流Id(on)(A):18.500
    通道极性:P
    封装/温度(℃):D2PAK-3/-55~175
    描述:-60V,-18.5AP沟道MOSFET
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ntb5605pt4g替代型号

NTB5605PG NTB5404NT4G NTB52N10T4G NTB52N10T4 NTB52N10 NTB45N06T4G NTB45N06 NTB4302T4G NTB4302 NTB35N15T4G

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