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NTB65N02R

更新时间:2025-07-08 08:19:22

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MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

NTB65N02R 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.2 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
9.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1330pF @ 20V
功率 - 最大
1.04W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
管件

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