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  • NTB75N03L09T4G的技术参数

    产品型号:ntb75n03l09t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8最大漏极电流id(on)(a):75通道极性:n封装/温度(℃):d2pak-3/-55~150描述:35v,75a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTB75N03L09T4G的技术参数

    产品型号:NTB75N03L09T4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8
    最大漏极电流Id(on)(A):75
    通道极性:N
    封装/温度(℃):D2PAK-3/-55~150
    描述:35V,75A,N沟道MOSFET
    价格/1片(套):暂无


    &nbs...

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