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  • NTB65N02RT4G的技术参数

    产品型号:ntb65n02rt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):10.500最大漏极电流id(on)(a):65通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150描述:24v, 65 a功率mosfet价格/1片(套):￥4.00 来源:xiangxueqin

  • NTB65N02RT4G的技术参数

    产品型号:NTB65N02RT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):24
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500
    最大漏极电流Id(on)(A):65
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150
    描述:24V, 65 A功率MOSFET
    价格/1片(套):￥4.00

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ntb65n02rt4g替代型号

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