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NTJS3151PT1G

更新时间:2025-07-03 14:28:51
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NTJS3151PT1G外观图

NTJS3151PT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

  • 封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
NTJS3151PT1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    60 毫欧 @ 3.3A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    400mV @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    8.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    850pF @ 12V
  • 功率 - 最大
    625mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    SOT-363
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    NTJS3151PT1GOSTR
芯知识
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广东微尔科技有限公司
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