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  • NTJS3157NT1G的技术参数

    产品型号:ntjs3157nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):60最大漏极电流id(on)(a):4通道极性:n封装/温度(℃):sc88-6/-55~150描述:20v,4a,n沟道trench mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTJS3157NT1G的技术参数

    产品型号:NTJS3157NT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
    最大漏极电流Id(on)(A):4
    通道极性:N
    封装/温度(℃):SC88-6/-55~150
    描述:20V,4A,N沟道Trench MOSFET
    价格/1片(套):暂无


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ntjs3157nt1g替代型号

NTJS3151PT1G NTJS3151P NTJD4401NT1G NTJD4401N NTJD4158CT1G NTJD4152PT1G NTJD4152P NTJD4105CT1G NTJD4001NT1G NTJD4001N

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