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产品型号:ntjs4151pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):60最大漏极电流id(on)(a):4.200通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150描述:-20 v, -4.2 a功率mosfet价格/1片(套):¥1.52 来源:xiangxueqin
产品型号:NTJS4151PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
最大漏极电流Id(on)(A):4.200
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150
描述:-20 V, -4.2 A功率MOSFET
价格/1片(套):¥1.52